旁字的结构_旁字怎么写好看

创作时记不住单词的结构？我灵机一动，老师想出了一个按盒子底部的方法来处理结构。 很多人在写字帖、写字帖或离开字帖时，总是记不住字帖上练习的单词。今天我要讲的是那些记不住平时练习的单词的人。很多人都记不住。 ，如何创建？以这个词为例，看一下"翁"字。这个"翁"字是标准词，创建时一定要看标准词。 标准词的含义是什么...

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三星获得集成电路器件及其制造方法专利，实现字线结构、绝缘结构、...金融行业2024年3月13日消息，根据国家知识产权局公告，三星电子有限公司已获得名为"集成电路器件"的申请及制造方法 》，授权公告号CN110911416B，申请日期为2019年6月。 专利摘要显示，集成电路器件包括字线结构、绝缘结构、沟道孔和电荷捕获图案。 字线结构和隔离结构相互交织...

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长鑫存储器获得字线引出结构及其制备方法专利，可减少字线引出结构...金融行业消息2023年12月12日，根据国家知识产权局公告，长鑫存储器科技股份有限公司 获得"字线引出结构及其制备方法"项目，授权公告号CN113745193B，申请日期为2020年5月。 专利摘要显示，本申请涉及一种字线引出结构及其制备方法，在基板上形成沿X轴方向延伸的字线；形成沿Y轴方向延伸的字线……

长鑫存储器申请了半导体结构的制备方法和半导体结构专利，增加了单个存储...目标栅极沟槽的侧壁沿第二方向延伸，包括从内到外依次堆叠的第一子边。 壁和第二子侧壁；沿着第二方向形成围绕目标栅极沟槽中的目标半导体层的两个栅极结构空间。 本发明至少可以在不减少单位体积的存储单元数量的情况下，增加单个存储单元结构中的栅极结构和字线结构的厚度...

长鑫存储器申请了半导体结构制备方法和半导体结构专利，增加了字线结构……第二沟槽隔离结构和第三沟槽隔离结构；形成两个空间，底面与衬底上表面接触。 在栅极沟槽中，位于栅极沟槽内的部分目标半导体层暴露并悬浮，栅极沟槽中形成围绕目标半导体层的玛瑙结构。 本发明实施例至少可以在不减少单位体积内存单元数量的情况下增加字线结构占用的空间...

长鑫存储器已申请半导体专利，可以在形成字线时保护外围区域的结构...形成字线，位于阵列区域的底部；形成间隔层，至少位于外围区域的保护层的顶面；去除位于外围区域的间隔层和保护层；形成栅极介电层，栅极介电层位于阵列的顶面外围区衬底；形成栅极结构，栅极结构位于外围区面中栅极介电层的顶部。 它可以在形成字线时保护外围区域的结构，防止外围区域的结构...

金卡智能获得基于电容确定字符轮位置的计数结构专利，无限制...金融行业动态，据国家知识产权局公告，金卡智能集团有限公司2024年3月20日 获得一项名为"基于电容判断字符轮位置的计数结构"的项目，授权公告号为CN109540178B，申请日期为2018年12月。 专利摘要表明，本发明涉及测量与计数技术领域，具体涉及一种基于电容确定字符轮位置的计数方法...

长鑫存储器已申请半导体结构及制备方法专利，该专利技术可有效提高字线...2024年4月5日金融行业消息，根据国家知识产权局公告，长鑫存储器科技有限公司申请的项目名为"半导体结构及制备方法""，公开号为CN117835694A，申请日期为2022年9月。 专利摘要表明，本发明提供了一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括衬底和多条字线，多条字线均沿第一方向延伸...

长鑫存储器申请半导体结构及其形成方法专利，简化了水平字线的形成...在第一沟槽内形成晶体管结构，该晶体管结构包括覆盖第一沟槽内壁的栅电极层，以及位于栅电极层内的有源结构；形成沿第二方向延伸的字线，该字线覆盖多个所述字线沿第二个方向的行间距。 存储区域内的门层。 本公开简化了水平字线的形成过程并降低了半导体的成本...

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...至少有利于减少半导体结构的布局面积，同时减少相邻字线之间的距离...长鑫存储科技有限公司申请了一个名为"半导体结构"的项目，公开号为CN117316923A，申请日期为2022年6月。 专利摘要表明，本公开的实施例涉及半导体技术领域并提供一种半导体结构。这些半导体结构包括：沿第一方向延伸的多个字线和沿第三方向间隔开的多个字线；沿第二方向延伸并沿第三方向布置的多个字线。 三个方向间隔排列...