pn结是什么_pn结是什么意思

华为获得PN结和调制器专利，提高调制效率，实现更高的光信号调制...文：11月7日金融界消息，根据国家知识产权局公告，华为技术有限公司获得一项名为"PN结和调制器"的专利，公开号CN113629129B，专利号：申请日期是2020年。 专利摘要表明本申请的实施例提供PN结和调制器。 PN结位于穿过N型区的第二个P型区，N型区的延伸方向是垂直的...

用于光通信和光计算领域，我国是世界上第一个创新型场效应控制光电二极管。钛媒体5月6日报道，从中国科学技术大学获悉，该校孙海定教授课题组与武汉大学刘胜院士团队合作，提出了一种新型三电极光电PN结全球首次采用二极管结构，构建了新的载波调制方法，实现了第三端口外部电场对二极管光电特性的有效控制。 相关研究成果近日在线发表在《Nature·Electronics...》杂志上

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扬杰科技申请SiCUMOSFET器件及保护栅极氧化层的制备方法专利...本发明在SiCUMOSFET中形成PN结二极管和肖特基二极管两种结构，使得SiCUMOSFET在电流流动过程中，肖特基二极管不断开路，起到漏电通路的作用，减少了续流损耗。当通过大浪涌电流时，PN结二极管开路，起到另一条泄漏路径，提高了器件承受浪涌电流的能力。 。 并且本发明中沟槽表面的Parea也避免了...

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CSGA应用绿色多晶电池的专利制备方法采用等离子增强化学气相沉积...包括以下步骤：多晶硅片表面制绒、PN结扩散制备、酸蚀去除磷硅酸盐玻璃层并通过臭氧形成二氧化硅薄膜；采用等离子增强化学气相沉积方法，第一氮化硅薄膜、第二氮化硅薄膜和第三氮化硅薄膜IDE膜依次沉积在二氧化硅薄膜的表面，并通过丝网印刷、烧结和电注射而获得。 描述了绿色多晶电池。 ...

比亚迪已经申请了电极及其生产方法和电化学器件的专利，可以满足快速充电性能或...活性层包括导电层和导电层中混合的多个PN结。PN结包括P型硅和与N型硅连接的P型硅，P型硅指向N型硅的方向为第一方向。在多个PN结中，预定数量的PN结的第一方向分量与集电体的法线方向一致。 通过布置有源层以包括导电层和混合在导电层中的多个PN结，并且布置预定数量的PN结...

华体科技申请了一种开关LED模组专利，增加了UVLED灯的适用场景。其N端和PN结之间分别有引脚通过电线连接到P端和N端；至少一个发光体，其包括Pend、Nend和PN结。Pend和Nend也分别通过电线连接到顶部引脚，两端为LED发光体。发光体和同侧插脚连接的紫外线发光体具有不同的特性。 开关LED模块包括：升降板、垂直运动设置、升降板表面的LED灯阵列...

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1985年，美国发动第一次芯片战争并摧毁日本半导体行业1946年威廉·肖克利的研发团队成功研制出PN结型晶体管。结型晶体管是现代晶体管的始祖，真正开辟了全球半导体技术的发展方向。用于替代真空管用于电子信号放大。 元件已成为电子行业的强大引擎，被媒体和科学界称为"20世纪最重要的发明"。 1955年，肖克利来到硅谷并创立了...

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