pn结的形成过程可以简述如下

扬杰科技申请SiCUMOSFET器件及保护栅极氧化层的制备方法专利...本发明在SiCUMOSFET中形成PN结二极管和肖特基二极管两种结构，使得SiCUMOSFET在电流流动过程中，肖特基二极管不断开路，起到漏电通路的作用，减少了续流损耗。当通过大浪涌电流时，PN结二极管开路，起到另一条泄漏路径，提高了器件承受浪涌电流的能力。 。 并且本发明中沟槽表面的Parea也避免了...

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CSGA申请了绿色多晶电池的制备方法专利，采用等离子增强化学气相沉积...包括以下步骤：多晶硅片的表面织构，扩散制备PN结，酸蚀去除磷硅酸盐玻璃层并使用臭氧形成二氧化硅薄膜；采用等离子增强化学气相沉积方法在二氧化硅薄膜表面依次沉积第一氮化硅薄膜和第二氮化硅薄膜，将氮化硅薄膜和第三氮化硅薄膜丝网印刷、烧结并电注入，得到绿色多晶电池片。 ...

台积电申请了半导体结构、传感器器件和形成光电探测器的方法的专利...p型区域和n型区域形成PN结。 内吸收层凹入半导体基板中，其中内吸收层具有朝雪崩区域突出的底部突出部。 周边吸收层位于内吸收层的侧壁和内吸收层的底部，并且从侧壁延伸至底部突出部。 内吸收层和外围吸收层共享相同的半导体材料，并且具有更小的...