pn结什么样_pn结什么样

华为获得PN结和调制器专利，提高调制效率，实现更高的光信号调制...文：11月7日金融界消息，根据国家知识产权局公告，华为技术有限公司获得一项名为"PN结和调制器"的专利，公开号CN113629129B，pat申请日期是2020年。 专利摘要表明本申请的实施例提供PN结和调制器。 PN结位于穿过N型区的第二个P型区，N型区的延伸方向是垂直的...

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用于光通信和光计算领域，我国是世界上第一个创新型场效应控制光电二极管。钛媒体5月6日报道，从中国科学技术大学获悉，该校孙海定教授课题组与武汉大学刘胜院士团队合作，提出了一种新型三电极光电PN结全球首次采用二极管结构，构建了新的载波调制方法，实现了第三端口外部电场对二极管光电特性的有效控制。 相关研究成果近日在线发表在《Nature·Electronics...》杂志上

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扬杰科技申请SiCUMOSFET器件及保护栅极氧化层的制备方法专利...本发明在SiCUMOSFET中形成PN结二极管和肖特基二极管两种结构，使得SiCUMOSFET在电流流动过程中，肖特基二极管不断开路，起到漏电通路的作用，减少了续流损耗。当通过大浪涌电流时，PN结二极管开路，起到另一条泄漏路径，提高了器件承受浪涌电流的能力。 。 并且本发明中沟槽表面的Parea也避免了...

CSGA的应用更加绿色制备晶胞的专利方法采用等离子体增强化学气相技术，包括以下步骤：多晶硅片表面制绒、PN结扩散制备、酸蚀去除磷硅酸盐玻璃层、二氧化硅薄膜的臭氧形成。 采用等离子体增强化学气相沉积方法，在二氧化硅薄膜表面依次沉积第一氮化硅薄膜、第二氮化硅薄膜和第三氮化硅薄膜，通过丝网印刷、烧结和电注射获得绿色。 多晶电池。 ...

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比亚迪已经申请了电极及其生产方法和电化学器件的专利，可以满足快速充电性能或...活性层包括导电层和导电层中混合的多个PN结。PN结包括P型硅和与N型硅连接的P型硅，P型硅指向N型硅的方向为第一方向。在多个PN结中，预定数量的PN结的第一方向分量与集电体的法线方向一致。 通过布置有源层以包括导电层和混合在导电层中的多个PN结，并且布置预定数量的PN结...

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华体科技申请了一种开关LED模组专利，增加了UVLED灯的适用场景。其N端和PN结之间分别有引脚通过导线连接到P端和N端；至少一个发光体，其包括Pend、Nend和PN结。Pend和Nend也分别通过导线连接到顶部引脚，两端为发光体和同侧插脚连接的紫外线发光体具有不同的特性。 开关LED模块包括：升降板、垂直运动设置、升降板表面的LED灯阵列...

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1985年，美国发动第一次芯片战争，摧毁了日本半导体产业。1946年，威廉·肖克利的研发团队成功研制出PN结晶体管。结型晶体管是现代晶体管的始祖，真正意义上开辟了全球半导体技术的发展方向。这种用来代替真空管的电子信号放大元件已成为成为电子工业的强大引擎，被媒体和科学界称为"20世纪最重要的发明"。 1955年，肖克利来到硅谷并创立了...